Частота
|
Выходной разъем BNC
| от 0 до 62,5 МГц
|
Выходные разъемы N-типа
| от 950 кГц до 6,0 ГГц
|
Разрешение установки частоты
| 1 мкГц на любой частоте
|
Время перестройки
| <8 мс (±1 х 10-6)
|
Погрешность частоты
| <(10–18 + погрешность тактового генератора) fc
|
Стабильность частоты
| 1·10–11 (дисперсия Аллана 1 с)
|
Спектральная чистота выходного РЧ сигнала
|
Субгармоники
| Нет
|
Гармонические составляющие (максимальные)
| Выходной уровень < 0 дБм, немодулированный сигнал, 1 ГГц < -30 дБн
|
Гармонические составляющие (тип.) (выходной уровень < 0 дБм)
| < -35 дБн, немодулированный сигнал, частота несущей < 2 ГГц
|
Паразитные составляющие (тип.)
< -68 дБн
< -60 дБн
< -55 дБн
< -55 дБн
| Выходной уровень -10 дБм, немодулир. сигнал
> 10 кГц от несущей (от 950 кГц до 1 ГГц)
> 10 кГц от несущей (от 1 до 2 ГГц)
> 10 кГц от несущей (от 2 до 4 ГГц)
> 10 кГц от несущей (от 4 до 6 ГГц)
|
Остаточная ЧМ (тип.)
| 1 Гц ср.кв. (в полосе частот от 300 Гц до 3 кГц)
|
Остаточная АМ (тип.)
| 0,006 % ср.кв. (в полосе частот от 300 Гц до 3 кГц)
|
Фазовый шум SSB
| Выходной уровень +5 дБм (от +18 до +28 °C)
|
Макс. фазовый шум SSB на несущей 1 ГГц (выходной уровень +5 дБм, от +5 до +40 °C )
Отстройка 1 кГц
Отстройка 10 кГц
Отстройка 20 кГц
Отстройка 1 МГц
Отстройка 2 ГГц
Отстройка >3 ГГц
|
-95 дБн/Гц
-106 дБн/Гц
-107 дБн/Гц
-120 дБн/Гц
-118 дБн/Гц
-120 дБн/Гц
|
Регулировка фазы (выходы на передней панели)
|
Максимальный сдвиг фазы
| ±360
|
Разрешение фазы
| 0,01 (от 0 до 100 МГц)
0,1 (от 100 МГц до 1 ГГц)
1,0 (от 1 до 6 ГГц)
|
Термостатированный генератор тактовой частоты (опция M00)
|
Тип задающего генератора
| Термостатированный кварцевый резонатор, изготовленный по технологии SC-cut и работающий на частоте третьей гармоники
|
Начальная погрешность при калибровке (после 20-минутного прогрева, от +18 до +28 C)
| < ±0,02·10-6
|
Температурный дрейф (от 0 до +40 °C )
| < ±0,003·10-6
|
Относительный уход частоты
| <±0,05·10-6 в год
|
Вход генератора тактовой частоты
|
Частота
| 10 МГц, ±2·10-6
|
Амплитуда
| от 0,5 Впик-пик до 4 Впик-пик (от –2 до +16 дБм)
|
Входное сопротивление
| 50 Ом, связь по переменному току
|
Выход генератора тактовой частоты
|
Частота
| 10 МГц, синусоидальный сигнал
|
Выходное сопротивление
| 50 Ом, связь по пост. току
|
Амплитуда
| > 7,5 дБм
|
Внутренний источник модулирующего сигнала
|
Сигналы
| Синусоидальный, линейно изменяющийся, пилообразный, прямоугольный, импульсный, шумоподобный
|
Гармонические искажения синусоидального сигнала
| –74 дБн (тип., на 20 кГц)
|
Линейность пилообразного сигнала
| < 0,05 % (1 кГц)
|
Частота
| от 1 мкГц до 500 кГц (частота несущей < 93,75 МГц)
от 1 мкГц до 50 кГц (частота несущей 93,75 МГц)
|
Разрешение установки частоты
| 1 мкГц
|
Погрешность частоты
| 1:231 + погрешность тактового генератора
|
Добавление шума
| Белый гауссов шум (ср.кв. значение = девиация / 5)
|
Полоса частот шума
| от 1 мкГц до 50 кГц
|
Период импульсного сигнала
| от 1 мкс до 10 с
|
Длительность импульсного сигнала
| от 100 нс до 9999,9999 мс
|
Внутренний источник модулирующего сигнала
|
Разрешение длительности импульса
| 5 нс
|
Добавление шума в импульсный сигнал
| Длина псевдослучайной двоичной последовательности 2 N -1, 5 N 32, битовый период от 10 нс до 10 с
|
Выход аналогового модулирующего сигнала
|
Тип разъема
| BNC (на задней панели)
|
Импеданс
| 50 Ом
|
Модуляция
| AM, ЧM, ФM, ИМ
|
Номинальный уровень
| ±1 В для ± полной девиации
|
Логические уровни
| Низкий уровень = 0 В
Высокий уровень = 3,3 В
|
Вход внешнего аналогового модулирующего сигнала
|
Тип разъема
| BNC (на задней панели)
|
Импеданс
| 100 кОм
|
Модуляция
| AM, ЧM, ФM, ИМ
|
Номинальный уровень
| ±1 В для ± полной девиации
|
Логические уровни
| Низкий уровень = 0 В
Высокий уровень = 3,3 В
|
Режимы входа
| Связь по постоянному току или ФВЧ с частотой среза 4 Гц
|
Пороговый уровень
| +1 В постоянная
|
Смещение по входу
| < 500 мкВ
|
Амплитудная модуляция
|
Диапазон
| от 0 до 100 % (уменьшается при уровне более +7 дБм)
|
Разрешение
| 0,1 %
|
Источник модулирующего сигнала
| Внутренний или внешний
|
Модуляционные искажения (тип.)
Выходной разъем BNC
Выходной разъем N-типа
|
< 1 % (fc < 62,5 МГц, fm = 1 кГц)
< 3 % (fc < 62,5 МГц, fm = 1 кГц)
|
Полоса модуляции (внешний сигнал)
| > 100 кГц
|
Частотная модуляция
|
Минимальная девиация частоты
| 0,01 Гц
|
Максимальная девиация частоты
| Меньше fc и 96 МГц – fc. В диапазоне частот от 0 до 93,75 МГц
|
Диапазон частот
93,75 МГц < fc 189,84375 МГц
189,84375 МГц < fc 379,6875 МГц
379,6875 МГц< fc 759,375 МГц
759,375 МГц < fc 1,51875 ГГц
1,51875 ГГц < fc 3,0375 ГГц
3,0375 ГГц < fc 6,0 ГГц
| Максимальная девиация
1 МГц
2 МГц
4 МГц
8 МГц
16 МГц
32 МГц
|
Разрешение девиации частоты
| 0,1 Гц
|
Погрешность девиации (тип.)
| < 0,1 % выбранной девиации + 5 Гц (fc < 93,75 МГц)
< 2 % выбранной девиации + 20 Гц (fc > 93,75 МГц)
|
Источник модулирующего сигнала
| Внутренний или внешний
|
Модуляционные искажения (тип.)
| < -60 дБ (fc = 100 МГц, fm = 1 кГц, fd = 3 кГц)
|
Отстройка несущей при внешней ЧМ (тип.)
| < ±0,001 х девиация частоты ЧМ сигнала
|
Полоса модуляции (тип.)
| 500 кГц (fc < 93,75 МГц)
100 кГц (fc > 93,75 МГц)
|
Фазовая модуляция
|
Девиация
| от 0 до 360
|
Разрешение девиации частоты (тип.)
| 0,01 (от 0 до 100 МГц)
0,1 (от 100 МГц до 1 ГГц)
1 (1 ГГц и выше)
|
Погрешность девиации (тип.)
| 2 % (fc < 93,75 МГц)
3 % (fc > 93,75 МГц)
|
Источник модулирующего сигнала
| Внутренний или внешний
|
Модуляционные искажения (тип.)
| < -60 дБ (fc = 100 МГц, fm = 1 кГц, D = 50 )
|
Полоса модуляции (тип.)
| 500 кГц (fc < 93,75 МГц)
100 кГц (fc > 93,75 МГц)
|
Импульсная модуляция
|
Режим манипуляции
| Высокий логический уровень включает несущую
|
Отношение уровней модулированной несущей (тип.)
Выходной разъем BNC
Выходной разъем N-типа
|
> 70 дБ
> 57 дБ (fc < 1,0 ГГц)
> 40 дБ (1,0 ГГц fc < 4,0 ГГц)
> 35 дБ (4,0 ГГц fc < 6,0 ГГц)
|
Проникновение импульсного сигнала (тип.)
| 10 % несущей в течение 20 нс для положительного перепада
|
Задержка положительного/ отрицательного перепада
| 60 нс
|
Время нарастания/спада РЧ сигнала (тип.)
| 20 нс
|
Источник модулирующего сигнала
| Внутренний или внешний
|